据了解目前全球主流的NAND flash和DRAM存储芯片的工艺都在10纳米以上，甚至可以用28纳米工艺生产，如此情况下，确实无需EUV光刻机也能生产，其实这不仅是中国芯片努力绕开EUV光刻机，海外芯片企业也不愿采用EUV光刻机。

全球第三大存储芯片企业美光就曾表示已研发成功1β工艺，该工艺就无需EUV光刻机，美光可以买到EUV光刻机却刻意绕开，在于EUV光刻机实在太贵了，一台EUV光刻机的价格是DUV光刻机的2-3倍，昂贵的价格对于存储芯片企业控制成本不利。

当下全球存储芯片已出现严重过剩，全球最大的存储芯片企业三星的存储芯片库存金额高达3400亿元人民币，巨额的库存压得三星喘不过气。三星在去年底紧急采购10台EUV光刻机，试图采取逆周期扩张计划，然而今年初却突然宣布减产，这就意味着大举买入的EUV光刻机暂时被闲置。

倪光南的说法无疑给国产芯片指出了新道路，解决了暂时无法获得EUV光刻机的困扰，美国拉拢日本和荷兰试图在芯片设备供应方面阻止中国芯片发展的图谋至少在存储芯片方面无法实现，外媒因此认为美国的图谋部分破灭了。

目前国产芯片正基于现有的芯片设备大举发展28纳米成熟工艺，以更好满足国内的需求，随着全球芯片行业进入下行阶段，如今成熟工艺似乎正为中国芯片提供了机会。

由于经济大环境的影响，制造业如今的重点之一就是控制成本，而28纳米等成熟工艺可以提供更低的成本，此外28纳米工艺还有高可靠性等方面，汽车芯片等大多采用28纳米工艺就是因为28纳米所具有的独特优势。

今年3月份以来，国内的芯片产能连续三个月反弹，5月份国内的芯片产能增长了7%，也显示出国内市场对成熟工艺的芯片快速增长；与此同时芯片进口却仍然在减少，前五个月中国进口的芯片减少了455亿颗，显示出国产的成熟工艺芯片在快速替代进口芯片。

存储芯片恰恰是国产芯片取得巨大成功的一个行业，近期618大促已经结束，国产存储芯片就霸占了前三名，显示出国产芯片拥有强大的竞争优势，在以往三星、美光的SSD固态硬盘和DRAM内存可是独占优势的，如今国产品牌大举抢占市场，三星和美光都大举降价抛售，可见国产存储芯片给它们的压力有多大。

近十年来，美国屡屡给中国制造高技术限制，而中国却不断拿出新科技打破局面，诸如盾构机、手撕钢等等新技术的突破，都显示出中国科技的巨大进展，甚至反向输出，如今中国盾构机甚至出口至欧洲，美国的做法只会激发中国芯片的潜力，加速发展，最终让美国芯片行业搬起石头砸自己的脚。（柏铭007）

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